- 以GaN和SiC為代表第三代半導體正處于高速發展的階段，Si和GaAs等第一、二代半導體材料也仍在產業中大規模應用。但不可否認，第三代半導體確實具有更多的性能優勢。
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碳化硅 SiC 氮化鎵 GaN 寬禁帶 WBG
- 0? ?引言近年來，電力電子領域最重要的發展是所謂的寬禁帶（WBG）材料的興起，即碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）。WBG 材料的特性有望實現更小、更快、更高效的電力電子產品。WBG 功率器件已經對從普通電源和充電器到太陽能發電和能量存儲的廣泛應用和拓撲結構產生了影響。SiC 功率器件進入市場的時間比氮化鎵長，通常用于更高電壓、更高功率的應用。電機在工業應用的總功率中占了相當大的比例。它們被用于暖通空調（HVAC）、重型機器人、物料搬運和許多其他功能。提高電機驅動的能效和可靠性是降低
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202106 MOSFET WBG 202106
- 我國正在大力興起新基建，帶來了5G、數據中心、工業互聯網、汽車充電樁、特高壓等對新一代電源產品的需求。為此，本刊邀請了部分業內領軍企業，介紹了相關的市場機會與技術趨勢。
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PWM WBG CARG EV 202009
- 全球領先的電子元器件供應商基美電子（“KEMET”），近日繼續通過使用KONNEKT高密度封裝技術擴展其廣受歡迎的KC-LINK系列來增強其電源轉換解決方案，從而滿足業界對快速開關寬禁帶（WBG）半導體、EV/HEV、LLC諧振轉換器和無線充電應用不斷增長的需求。這項技術將KC-LINK堅固耐用的專有C0G賤金屬電極（BME）電介質系統與KONNEKT的創新型瞬態液相燒結（TLPS）材料相結合，創建了一種表面貼裝多芯片解決方案，其非常適合高密度封裝和高效率的應用使用，所產生的電容高達單個多層陶瓷電容器的四
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WBG BME TLPS
- 近日，推動高能效創新的安森美半導體（ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON），推出另兩個碳化硅（SiC） MOSFET系列，擴展了其寬禁帶（WBG）器件系列。?這些新器件適用于各種高要求的高增長應用，包括太陽能逆變器、電動汽車（EV）車載充電、不間斷電源（UPS）、服務器電源和EV充電樁，提供的性能水平是硅（Si）?MOSFET根本無法實現的。安森美半導體的新的1200伏（V）和900 V N溝道SiC MOSFET提供比硅更快的開關性能和更高的可靠性?？焖俦菊鞫?/li>
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SiC WBG
- 眾所周知，封裝技術是讓寬帶隙 (WBG) 器件發揮潛力的關鍵所在。碳化硅器件制造商一直在快速改善器件技術的性能表征，如單位面積的導通電阻 (RdsA)，同時同步降低電容以實現快速開關。新的分立封裝即將推出，它能讓用戶更好地利用寬帶隙快速開關性能?？捎玫臉藴誓K越來越多，而且有越來越多的新先進技術通過實現快速開關、降低熱阻與提高可靠性來提高產品價值。器件技術SiC 肖特基二極管銷售額占了 SiC 銷售額的?50% 以上，其中大部分是 650V、1200V 和1700V 等級。650V 二極管用于計
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WBG RdsA
- 汽車領域正迅速邁向采用純電動汽車(EV)，并采用將最終實現全自動駕駛汽車的精密ADAS。安森美半導體在這一領域處于技術前沿，持續開發和推出器件及集成的系統方案，以使強固、可靠并完全符合最新汽車標準的高性能電子成分遍及整個車輛。
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安森美半導體 自動駕駛 WBG
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