<address id="9993j"><address id="9993j"><listing id="9993j"></listing></address></address><form id="9993j"><nobr id="9993j"><meter id="9993j"></meter></nobr></form>

    <output id="9993j"><nobr id="9993j"></nobr></output>

    <noframes id="9993j">
        <address id="9993j"><address id="9993j"></address></address>

          <noframes id="9993j"><address id="9993j"><th id="9993j"></th></address>

          <noframes id="9993j">

            <em id="9993j"><form id="9993j"><nobr id="9993j"></nobr></form></em>

            IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

            如圖所示為一個N溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結構, N+區稱為源區,附于其上的電極稱為源極(即發射極E)。P+區稱為漏區。器件的控制區為柵區,附于其上的電極稱為柵極(即門極G)。溝道在緊靠柵區邊界形成。在C、E兩極之間的P型區(包括P+和P-區)(溝道在該區域形成),稱為亞溝道區(Subchannel region)。而在漏區另一側的P+區稱為漏注入區(Drain injector),它是IGBT特有的功能區,與漏區和亞溝道區一起形成PNP雙極晶體管,起發射極的作用,向漏極注入空穴,進行導電調制,以降低器件的通態電壓。附于漏注入區上的電極稱為漏極(即集電極C)。

            IGBT的開關作用是通過加正向柵極電壓形成溝道,給PNP(原來為NPN)晶體管提供基極電流,使IGBT導通。反之,加反向門極電壓消除溝道,切斷基極電流,使IGBT關斷。IGBT的驅動方法和MOSFET基本相同,只需控制輸入極N-溝道MOSFET,所以具有高輸入阻抗特性。當MOSFET的溝道形成后,從P+基極注入到N-層的空穴(少子),對N-層進行電導調制,減小N-層的電阻,使IGBT在高電壓時,也具有低的通態電壓。



            驗證碼:

            42# EEPW網友 說:2018-09-26 16:40
            真牛逼
            41# EEPW網友 說:2017-04-04 22:02
            一般的igbt的開通和關斷時間是多長呢
            40# 廣州華工科技 說:2016-10-21 16:38
            富士IGBT模塊中國總代理,廣州華工科技開發有限公司,? 歡迎咨詢020-85511281 李生
            39# EEPW網友 說:2016-07-13 14:15
            38# EEPW網友 說:2016-07-13 14:12
            37# EEPW網友 說:2016-07-13 14:12
            是大幅度發
            36# EEPW網友 說:2016-07-13 14:08
            富士IGBT模塊中國一級總代理, 廣州華工科技開發有限公司,歡迎咨詢020-85511281 李生
            35# EEPW網友 說:2016-07-13 14:08
            富士IGBT模塊中國一級總代理, 廣州華工科技開發有限公司,歡迎咨詢020-85511281 李生
            34# EEPW網友 說:2016-07-13 14:08
            富士IGBT模塊中國一級總代理, 廣州華工科技開發有限公司,歡迎咨詢020-85511281 李生 www.scut-co.com
            33# EEPW網友 說:2015-12-23 14:50
            大聯大品佳-英飛凌一級代理 劉志平 QQ:185609588/Tel:18521067611
            32# EEPW網友 說:2014-09-03 17:43
            請問汽車級IGBT國際知名生產企業都有哪些?有知道的麻煩給說一下,謝謝!
            31# 云端 說:2014-07-21 06:57
            IGBT 管的好壞可以用萬用表來測量嗎?
            30# soothmusic 說:2014-07-20 06:13
            回答29# wyf86:
            這個問題很難回答,有的30年以上
            29# wyf86 說:2014-07-19 22:20
            IGBT的壽命一般多長?
            28# EEPW521 說:2014-06-20 07:06
            回答27# eepwlover:
            是的,設計的時候多注意。
            27# eepwlover 說:2014-06-19 22:23
            變頻器工作時,IGBT的開關動作會產生高頻干擾信號?
            26# EEPW521 說:2014-06-18 22:10
            回答25# eepwlover:
            新能源汽車
            25# eepwlover 說:2014-06-17 21:37
            大功率IGBT的主要驅動力是什么?
            24# 活詞典 說:2014-05-19 21:39
            當MOSFET的溝道形成后,從P+基極注入到N-層的空穴(少子),對N-層進行電導調制,減小N-層的電阻,使IGBT在高電壓時,也具有低的通態電壓。
            23# EEPW網友 說:2014-04-21 16:08
            基于icepak的igbt溫度場仿真應該采用哪種igbt?
            22# wyf86 說:2014-04-15 22:43
            回答21# soothmusic:
            通過加正向柵極電壓形成溝道,給PNP(原來為NPN)晶體管提供基極電流,使IGBT導通
            21# soothmusic 說:2014-04-14 22:36
            IGBT的開關作用是什么
            20# EEPW網友 說:2014-04-13 00:15
            很希望有IGBT的工藝流程
            19# EEPW網友 說:2014-03-13 14:42
            跪求適合傳熱分析的簡單的IGBT的模型?
            18# wyf86 說:2014-03-12 20:10
            IGBT在關閉期間仍承受著高電壓,且帶有殘余電流,滋生不小的開關損耗。
            17# EEPW網友 說:2014-03-04 13:39
            基于有緣柵極控制的IGBT,其實IGBT就是柵極控制吧?沒什么特別含義吧?
            16# wyf86 說:2014-02-17 21:48
            回答15# soothmusic:
            輸出漏極電流Id與柵源電壓Ugs 的關系曲線
            15# EEPW網友 說:2014-02-16 21:42
            什么是IGBT的轉移特性?
            14# 云端 說:2014-01-16 21:42
            回答13# wyf86:
            電流過大是一個原因
            13# wyf86 說:2014-01-15 22:12
            IGBT失效的原因是什么?
            12# wyf86 說:2013-11-07 21:16
            回答11# soothmusic:
            可使用MOSFET驅動技術進行觸發
            11# soothmusic 說:2013-11-06 21:54
            IGBT柵極/發射極阻抗大,應該怎么觸發?
            10# 活詞典 說:2013-10-05 22:31
            回答9# 云端:
            也就是IGBT的開關特性,等效電路為達林頓結構。
            9# 云端 說:2013-10-04 21:13
            IGBT漏源電壓與漏極電流的關系是怎樣的?
            8# soothmusic 說:2013-09-30 21:54
            回答7# eepwlover:
            簡單來說,就是柵源電壓Ugs與輸出漏極電流Id 的關系曲線。
            7# eepwlover 說:2013-09-29 22:34
            IGBT的轉移特性是什么?
            6# 活詞典 說:2013-09-28 22:21
            回答5# 云端:
            Ugs 越高, Id 越大。
            5# 云端 說:2013-09-27 23:36
            選型IGBT,可以參考伏安特性曲線,Ugs與Id的關系是什么樣的?
            4# soothmusic 說:2013-09-25 22:06
            回答3# eepwlover:
            它們都有高輸入阻抗特性。
            3# eepwlover 說:2013-09-24 21:59
            IGBT的輸入阻抗特性,與MOSFET一樣嗎?
            2# liyidong 說:2013-09-23 13:01
            IGBT的飽和壓降低,適合應用在高壓大電流的場合,但是其工作頻率比MOSFET低。
            1# 云端 說:2013-09-22 21:35
            大功率開關電源中,使用IGBT作為開關管,比MOSFET好在哪里?
            EEPW521回答:2013-09-23
            IGBT的飽和壓低,且驅動功率小。MOSFET載流密度小些,導通壓降較大,開關速度要快,驅動功率卻很小。
            五月天国产成人AV免费观看