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            PC與ADI攜手推出基于GaN FET的最高功率密度DC/DC轉換器

            —— 可實現2MHz的開關頻率
            作者:時間:2022-03-16來源:電子產品世界收藏

            EPC公司和ADI公司推出參考設計,采用全面優化的新型模擬控制器來驅動EPC的氮化鎵場效應晶體管(GaN FET)。新型模擬LTC7890同步氮化鎵降壓控制器與EPC的超高效eGaN?FET相結合,可實現高達2 MHz的開關頻率,從而實現高功率密度和低成本的DC/DC轉換。

            本文引用地址:http://www.snowlakeshores.com/article/202203/432039.htm

            宜普電源轉換公司(EPC)近日宣布推出EPC9160,這是一款雙輸出同步降壓轉換器參考設計,開關頻率為2 MHz,可將9 V~24 V的輸入電壓轉換為3.3 V或5 V的輸出電壓,兩個輸出的連續電流可高達15 A。由于開關頻率高,轉換器的尺寸非常小,兩個輸出都只有23 mm x 22 mm和電感器的厚度只有3 mm。

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            這個解決方案具有高功率密度、纖薄和開關頻率為2 MHz,是車用控制臺應用和需要小型、纖薄方案的計算、工業、消費和電信電源系統的理想選擇。eGaN?FET具備快速開關、高效率和小尺寸等優勢,可以滿足這些前沿應用對高功率密度的嚴格要求。

            EPC9160參考設計采用了增強型GaN FET(EPC2055)和帶有GaN集成驅動器的兩相模擬降壓控制器(LTC7890)。

            ●   100 V、具有低 Iq、雙路、兩相的同步降壓控制器(LTC7890)經過全面優化,可驅動 EPC eGaN FET,并集成了一個半橋驅動器和智能自舉二極管。經過優化的死區時間或可編程死區時間接近零,開關頻率最高可達3 MHz。5 uA的靜態電流(VIN=48 V、VOUT=5 V、僅CH1)可實現非常低的待機功耗和卓越的輕負載效率。

            ●   40 V 的eGaN FET (EPC2055)在超小尺寸(2.5 mm x 1.5 mm)內實現3 mOhm的最大導通電阻、6.6 nC QG、0.7 nC QGD、1.3 nC QOSS和零反向恢復(QRR),可提供高達29 A的連續電流和161 A的峰值電流。優越的動態參數可以在2 MHz開關頻率下,實現非常小的開關損耗。

            EPC9160的效率在5 V輸出和24 V輸入時超過93%。除了輕載工作模式和可調死區時間外,該板還提供欠壓鎖定、過流保護和power good輸出。

            宜普電源轉換公司首席執行官Alex Lidow表示:"氮化鎵場效應晶體管具備超低開關損耗的優勢,使它能夠在2 MHz以上的頻率工作,并配以新型模擬控制器,讓客戶可實現2 MHz工作頻率以上的整個生態系統。我們很高興與ADI公司合作,將其先進控制器的優勢與EPC氮化鎵器件的卓越性能結合起來,為客戶提供具有最高功率密度和采用少量元件的解決方案,從而提高效率、增加功率密度和降低系統成本"。

            ADI公司高級產品市場經理Tae Han說:"ADI公司的LTC7890設計可發揮EPC eGaN FET的優勢,用于高功率密度解決方案。LTC7890實現更高的開關頻率和經過優化的死區時間,與市場上現有的解決方案相比,性能更卓越且功耗更低。通過這些新型控制器,客戶可以發揮氮化鎵器件的極速開關優勢,實現最高的功率密度。"



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