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              三星3nm工廠即將動工:全球首發GAA工藝 功耗直降50%

              作者:時間:2022-03-11來源:環球Tech收藏

              的晶圓代工部門最近負面不斷,此前有消息稱部分員工涉嫌偽造和虛報5nm、4nm、工藝制程的良品率,以致于高通這樣的VIP客戶都要出走,重新使用臺積電生產驍龍8處理器。不過從技術上來說,現在依然是唯一能緊追臺積電的晶圓代工廠。

              本文引用地址:http://www.snowlakeshores.com/article/202203/431882.htm

              雖然在7nm、5nm及4nm節點上落后了一些,但在接下來的節點更激進,要全球首發GAA晶體管工藝,放棄FinFET晶體管技術,而臺積電的工藝依然會基于FinFET工藝。

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              三星之前表示,GAA是一種新型的環繞柵極晶體管,通過使用納米片設備制造出了MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET,多橋-通道場效應管),該技術可以顯著增強晶體管性能,主要取代FinFET晶體管技術。

              根據三星的說法,與7nm制造工藝相比,3nm GAA技術的邏輯面積效率提高了45%以上,功耗降低了50%,性能提高了約35%,紙面參數上來說卻是要優于臺積電3nm FinFET工藝。

              當然,這些還是紙面上的,三星的3nm工藝挑戰也不少,光是量產就是個問題,之前三星宣傳2021年就量產,實際上并沒有,最快也是今年,而且首發的是3GAE低功耗工藝,高性能的3GAP工藝至少要2023年了。

              據韓國媒體報道,三星已經準備在韓國平澤市的P3工廠開工建設3nm晶圓廠了,6、7月份動工,并及時導入設備。

              按照這個進度,今年的3GAE工藝應該也只會是小規模試產,大規模量產也要到明年了,跟臺積電的3nm工藝差不多,兩家都因為種種問題延期量產3nm工藝了。



              關鍵詞: 三星 3nm GAA工藝

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