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            三星宣布3nm芯片成功流片,規?;慨a時間節點臨近

            作者:時間:2021-06-30來源:網易科技收藏

              6月29日消息,據外媒報道,宣布,3nm制程技術已經正式流片。據介紹,的3nm制程采用的是GAA架構,性能優于臺積電的3nm FinFET架構。

            本文引用地址:http://www.snowlakeshores.com/article/202106/426624.htm

              報道稱,在3nm制程的流片進度是與新思科技合作完成的,目的在于加速為GAA架構的生產流程提供高度優化的參考方法。因為三星的3nm制程采用不同于臺積電或英特爾所采用的FinFET的架構,而是采用GAA的結構。因此,三星采用了新思科技的Fusion Design Platform。



            關鍵詞: 芯片 3mm 三星

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