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            安森美半導體推出創新的超高密度離線電源方案

            —— 業界首款圖騰柱PFC控制器以高性價比提供高性能
            作者:時間:2021-06-23來源:電子產品世界收藏

            推動高能效創新的安森美半導體 (ON Semiconductor),近日推出業界首款專用臨界導通模式 (CrM) 圖騰柱PFC控制器,是該公司超高密度離線電源方案集的新成員。

            本文引用地址:http://www.snowlakeshores.com/article/202106/426502.htm

            在傳統的PFC電路中,整流橋二極管在240 W電源中的損耗約4 W,占總損耗的20%左右。相比之下,PFC級的能效通常為97%,LLC電路實現類似的性能。然而,用 "圖騰柱 "配置的開關取代有損耗的二極管,并拉入升壓PFC功能,可減少電橋損耗,顯著提高整體能效。此外,NCP1680可適用于任何開關類型,無論是超級結硅還是碳化硅 (SiC) 或氮化鎵 (GaN) 等寬禁帶開關。

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            新的 NCP1680 CrM 圖騰柱 PFC 控制器采用新穎的電流限制架構和線路相位檢測,同時結合經驗證的控制算法,提供高性價比的圖騰柱 PFC方案,而不影響性能。該 IC 的核心是內部補償數字環路控制。該創新器件采用含谷底開關的恒定導通時間 CrM 架構。由于內置非連續導通模式 (DCM),在頻率返走工作期間谷底同步導通,因此可滿足現代能效標準,包括那些要求在輕載下提供高能效的標準。

            該高度集成的器件可使電源設計在通用電源 (90 至 265 Vac) 下以高達350 W的建議功率水平工作。在 230 Vac 電源輸入下,基于 NCP1680 的 PFC 電路能夠在 300 W實現近 99% 的能效。在外部只需幾個簡單的器件即可實現全功能圖騰柱 PFC,從而節省空間和器件成本。 進一步減少器件數,實現逐周期電流限制,無需霍爾效應傳感器。

            NCP1680采用小型SOIC-16封裝,也可作為評估平臺的一部分,支持快速開發和調試先進的圖騰柱PFC設計。

            根據圖騰柱開關技術中,當中包括了高速半橋和低速半橋兩路,其中在高速半橋上,NCP1680 可與 NCP51820 半橋 GaN 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 門極驅動器或 NCP51561 隔離型 SiC 門極驅動器一起使用。 NCP51561 是隔離型雙通道門極驅動器,具有 4.5 A 源電流和 9 A 灌電流峰值能力。新器件適用于硅功率 和基于 SiC 的 MOSFET 器件的快速開關,提供短且匹配的傳播延遲。兩個獨立的 5 kVRMS (UL1577 級) 電隔離門極驅動器通道可用作兩個下橋、兩個上橋開關或一個半橋驅動器,具有可編程的死區時間。一個使能引腳將同時關斷兩個輸出,且 NCP51561 提供其他重要的保護功能,如用于兩個門極驅動器的獨立欠壓鎖定 (UVLO) 和使能功能。

            安森美半導體提供陣容廣泛的 SiC MOSFET,它們比硅 MOSFET 提供更高能效。低導通電阻 (RDS(on)) 和小巧的芯片尺寸確保低電容和門極電荷 (Qg),以在更小的系統尺寸中提供最高的能效,從而提高功率密度。 安森美半導體已發布采用 TO-247-4L 和 D2PAK-7L 封裝的 650 V SiC MOSFET,并將繼續猛增該產品系列。 此外,安森美半導體提供完整的硅基 650 V SUPERFET? III MOSFET 產品組合。



            關鍵詞: MOSFET

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